规格书 |
D-PAK Tape and Reel Data |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 23nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 910pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 9 A |
RDS -于 | 280@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 13 ns |
典型上升时间 | 120 ns |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
典型下降时间 | 55 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 6.1 |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 200 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 280@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.6 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 2.3 |
最大连续漏极电流 | 9 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
供应商设备封装 | TO-252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 910pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 23nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FQD12N20TMFSCT |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 9 A |
封装/外壳 | TO-252 |
下降时间 | 55 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.009184 oz |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 7.3 S |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
系列 | FQD12N20 |
RDS(ON) | 280 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 2.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 120 ns |
漏源击穿电压 | 200 V |
栅源电压(最大值) | �30 V |
漏源导通电阻 | 0.28 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | DPAK |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 200 V |
弧度硬化 | No |
高度 | 2.39mm |
晶体管材料 | Si |
类别 | 功率 MOSFET |
长度 | 6.73mm |
典型输入电容值@Vds | 700 pF @ 25 V |
通道模式 | 增强 |
安装类型 | 表面贴装 |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 280 mΩ |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
通道类型 | N |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 55 W |
最大栅源电压 | ±30 V |
宽度 | 6.22mm |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大漏源电压 | 200 V |
典型接通延迟时间 | 13 ns |
典型关断延迟时间 | 30 ns |
封装类型 | DPAK |
最大连续漏极电流 | 9 A |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 9 A |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
身高 | 2.39 mm |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
技术 | Si |
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